姓名：万志鑫 |
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所在系所：无机非金属材料系 |
职称：资格教授 |
邮箱：wanzhx@ahut.edu.cn |
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教育背景
2016.06 毕业于韩国国立釜山大学应用复合材料专业获工学博士学位
2012.06 毕业于韩国国立昌原大学金属材料工程专业获工学硕士学位
工作履历
2022.10 至今 beat365唯一官网app beat365唯一官网app 资格教授
2018.07 ~ 2022.10 中山大学 beat365唯一官网app 副研究员
2016.09 ~ 2017.08 韩国国立釜山大学 材料技术研究所 博士后
课程教学
功能陶瓷材料
研究领域
原子层沉积(ALD)技术制备纳米功能薄膜材料及其应用基础研究。
1. 原子层沉积(ALD)技术: ALD制备二元金属氧化物 (ZnO, Al2O3, TiO2, SnO2, RuO2, CoO, Co3O4, Y2O3等)、三元金属氧化物 (Ti/Al-ZnO, ZnCoxOy p 型氧化物等)、氮化物 (AlN, TiN等)、金属 (Pt, Ru, Ir, Co等)薄膜及其在光学、电学、电化学和集成电路等领域的应用研究；
2. ALD改性电极材料：利用ALD对催化剂电极材料进行表面修饰，增加其催化活性和使用寿命；
3. 微纳制造-纳米阵列：结合double patterning技术，BCP自组装技术和ALD技术，大面积制备均匀异质结纳米棒及纳米管阵列，研究其光电学性能；
4. 抗腐蚀防护涂层：利用ALD技术对物理气相沉积制备的硬质涂层进行封孔，研究其微观结构，机械性能，抗腐蚀性等。
学术成果
主持或参加科研项目（课题）情况
1. 原子层沉积制备p型ZnM2O4(M: Co, Rh, Ir)薄膜及其电学性能研究，国家自然科学基金青年基金，项目编号：51902356，2020.01.01~2022.12.31，主持；
2. 原子层沉积制备5 nm金属钌基薄膜在集成电路铜互连中的应用，中央高校基本科研业务费-青年教师培育项目，项目编号：20lgpy05，2020.01.01~2022.12.31，主持；
3. 高质量纳米功能薄膜的原子层沉积技术开发，项目编号：RH2300000923, 2023.05.01-2025.04.30，主持；
4. 高质量过渡金属薄膜的沉积技术，项目编号：29000-71010033，2021.12.01~2024.12.31，参与；
5. 原子层沉积（ALD）锆酸钙薄膜材料在电容器中的应用研究，项目编号：29000-71010023，2020.06.01~2022.12.31，参与；
6. 锂电池湿法隔膜性能提升与改进研究，项目编号：29000-71010017，2020.01.01~2021.12.31，参与；
7. 原子层沉积(ALD)高k薄膜材料在电容器中的应用研究，项目编号：29000-71010012, 2018.12.06~2019.06.30，参与。
代表性论文
1. Zhixin Wan* et al., Atomic Layer Deposition of CoxOy Films: Oxidants versus Composition, Advanced Materials Interfaces, 9 (2022) 20097 (1-9).
2. Zhixin Wan, et al., Circular Double-Patterning Lithography using a Block Copolymer Template and Atomic Layer Deposition, Advanced Materials Interfaces, 5 (2018) 1800054 (1-9).
3. Daying Guo, Zhixin Wan* et al., TiN@Co5.47N Composite Material Constructed by Atomic Layer Deposition as Reliable Electrocatalyst for Oxygen Evolution Reaction, Advanced Functional Materials, 2021 (31) (2020) 2008511(1-9).
4. Daying Guo, Jiahui Wang, Lei Zhang, Xi’an Chen, Zhixin Wan* et al., Strategic Atomic Layer Deposition and Electrospinning of Cobalt Sulfide/Nitride Composite as Efficient Bifunctional Electrocatalysts for Overall Water Splitting, Small, 16 (2020) 2002432 (1-11).
5. Xuan Zhong, Zhixin Wan* et al., Preliminary Growth of Metallic Co Films by Thermal Atomic Layer Deposition Using RCpCo(CO)2 and Alkylamine Precursors, Materials Letters, 311 (2022) 131605 (1-4).
6. Leyi Li, Zhixin Wan*, A Novel p‐Type ZnCoxOy Thin Film Grown by Atomic Layer Deposition，Nanomaterials12 (2022) 3381 (1-9).
7. Teng Fei Zhang，Woo-Jae Lee, Se-Hun Kwon*, Zhixin Wan*, Facile syntheses and electrochemical properties of Ni(OH)2 nanosheets/porous Ni foam for supercapacitor application, Materials Letters, 256 (2019) 126656.
8. Zhixin Wan, et al., Improved Corrosion Resistance and Mechanical Properties of CrN Hard Coatings with Atomic Layer Deposited Al2O3 Interlayer, ACS Applied Materials & Interfaces, 7 (2015) 26716-26725.
9. Zhixin Wan, et al., Enhanced Corrosion Resistance of PVD-CrN Coatings by ALD Sealing Layers, Nanoscale Research Letters, 12 (2017) 248 (1-8).
10. Teng Fei Zhang1, Zhi Xin Wan1, et al., Microstructure and high-temperature tribological properties of Si-doped hydrogenated diamond-like carbon films, Applied Surface Science, 435 (2018) 963-973.
专利
1. 一种钴基氧化物薄膜的原子层沉积方法，申请号：202210211538.1，中国；
2. 一种p型锌钴复合氧化物半导体薄膜的原子层沉积方法，申请号：202210468406.7，中国；
3. PVD 와 ALD 를 조합하여 구성되는 내식성향상코팅막및그제조방법（基于PVD和ALD混合镀膜过程制备高耐腐蚀性薄膜的方法）, 授权号：KR101882584B1，2018.04.26, 韩国；
4. Manufacturing Method for Hard Coatings with Improved Corrosion Resistance and Mechanical Properties（一种改善硬质涂层耐蚀性和机械性能的方法）, 授权号：KR101659232B1, 2016.09.13, 韩国；
